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國(guó)內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔單晶硅研制成功

    日前，中環(huán)股份發(fā)布了晶硅材料三類新產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶、直拉區(qū)熔高效太陽(yáng)能電池用單晶硅和8英寸〈110〉晶向直拉單晶硅。據(jù)悉，這三項(xiàng)技術(shù)的成功突破，打破了國(guó)外對(duì)8英寸區(qū)熔單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)的封鎖。將進(jìn)一步提升中國(guó)企業(yè)在這兩個(gè)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，加速產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

    據(jù)悉，區(qū)熔單晶硅已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導(dǎo)體器件，其技術(shù)應(yīng)用的核心是通過(guò)電源頻率調(diào)制實(shí)現(xiàn)整機(jī)、裝置的控制和節(jié)能，其產(chǎn)品應(yīng)用已覆蓋高速機(jī)車、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、新能源、節(jié)能家電等領(lǐng)域。2010年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模約70億元，未來(lái)預(yù)計(jì)將以25%以上的速度增長(zhǎng)。目前全球有近20家區(qū)熔單晶硅制造商，其中前5位公司壟斷了全球產(chǎn)量95%以上。中環(huán)股份占據(jù)第三位，這次宣布拉制出的8英寸區(qū)熔單晶硅是國(guó)內(nèi)首例。

    中環(huán)股份以半導(dǎo)體單晶硅材料、單晶硅光伏產(chǎn)品和半導(dǎo)體器件為主營(yíng)業(yè)務(wù)。是國(guó)內(nèi)歷史最悠久、綜合技術(shù)實(shí)力最雄厚、產(chǎn)品種類最豐富的單晶硅材料制造企業(yè)。盡管今年全球光伏產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過(guò)剩及行業(yè)洗牌，但中環(huán)股份仍宣布將憑借最新技術(shù)新一代直拉區(qū)熔法進(jìn)軍高效太陽(yáng)能電池單晶硅領(lǐng)域。推動(dòng)行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展。